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DS: Dünne Schichten
DS 8: Charakterisierungsverfahren I
DS 8.4: Vortrag
Montag, 17. März 1997, 16:00–16:15, H 55
Herstellung und Charakterisierung von Niedertemperatur-Passivierungsoxiden — •A. Fischer, A. Strass, W. Hansch, F. Kaesen und I. Eisele — Institut für Physik, ET9, Universität der Bundeswehr München, Werner-Heisenberg-Weg 39, D-85579 Neubiberg
Zukünftige Halbleiterbauelemente benötigen zur Steigerung der Leistungsfähigkeit scharfe Dotierübergänge (z.B. Planar Doped Barrier FETs) oder Heterostrukturen (z.B. SiGe-Hetero-Bipolar-Transistor) im Nanometerbereich. Zur Vermeidung von Oberflächenleckströmen müssen diese Bauelemente passiviert werden. Dies geschieht üblicherweise durch eine thermische Oxidation bei Temperaturen über 700oC. Dieses nachträgliche Temperaturbudget kann zur Verschlechterung der Bauelementeeigenschaften durch Diffusion oder Reaktion führen. Vor diesem Hintergrund ist die Entwicklung eines Niedertemperatur-Passivierungsoxid nötig. Zu diesem Zweck wurden im UHV verschiedene Niedertemperaturoxidprozesse entwickelt und an Bauelementen charakterisiert. Gezeigt werden Ergebnisse von Passivierungsoxiden aus einem reinem Sauerstoffplasma und einem plasmaunterstütztem Abscheideprozeß (PEE) im Vergleich zu thermischen Passivierungsoxiden und einer Oberflächenterminierung im H2-Plasma.