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O: Oberflächenphysik

O 2: Zeitaufgelöste elektronische Struktur

O 2.7: Vortrag

Montag, 17. März 1997, 11:00–11:15, S 1

Femtosekunden-Laserunterst"utzte Rastertunnelmikroskopie zur Untersuchung der elektronischen Dynamik an Halbleiteroberfl"achen — •W. Pfeiffer, V. Gerstner, A. Thon, and G. Gerber — Physikalisches Institut EP1, Universit"at W"urzburg, D-97074 W"urzburg

Die Kombination eines UHV-Rastertunnelmikroskopes (RTM) mit einem fs-Titan-Saphir-Lasersystem wird vorgestellt. Die direkte Einkopplung eines Pump-Probe-Pulszuges in den Tunnelkontakt erm"oglicht, unter der Voraussetzung, da"s ein nichtlineares Signal im Tunnelstrom auftritt, die Detektion der elektronischen Dynamik mit einer Zeitaufl"osung, die nur durch die Dauer der Lichtpulse bestimmt ist. Die vorgestellte Kombination von RTM und Kurzpulslaser k"onnte somit die lateral aufgel"oste Untersuchung der Oberfl"achendynamik im sub-ps Bereich erm"oglichen. Die auf den Tunnel"ubergang fokussierten Pulse eines nachverst"arkten fs-Ti:Saphir-Oszillators regen Substrat und Spitze an. Neben den gew"unschten nichtlinearen Prozessen, treten bei der Beleuchtung auch thermische Ph"anomene auf. Der Einflu"s der Pulsenergie (0.01 - 300 nJ) und der mittleren eingekoppelten Leistung auf die Eigenschaften des Tunnelkontaktes werden dargestellt und diskutiert.