Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 24: Homo-/Hetero-Epitaxie auf Si

O 24.1: Vortrag

Mittwoch, 19. März 1997, 16:00–16:15, S 1

Nukleation in der Si(001) Homoepitaxie — •Wolfgang Theis¹ und Ruud M. Tromp² — ¹Institut für Experimentalphysik, FU-Berlin, Arnimallee 14, D-14195 Berlin-Dahlem — ²IBM Reasearch Division, T.J. Wason Research Center, P.O. Box 218, Yorktown Heights, New York 10598, USA

Mikroskopie mit niederenergetischen Elektronen (LEEM) wurde zur Beobachtung der Oberflächentopographie von Si(001) während des homoepitaktischen Wachstums bei 650^∘C verwendet. Es wurden das Nukleationsdichteprofil auf einer gegebenen Insel und die Größenverteilung dieser Inseln zum Zeitpunkt der Nukleation bestimmt. Ein Vergleich mit homogener Nukleationstheorie ergibt eine kritische Keimgröße von etwa 650 Dimeren und erlaubt es die Nukleation zusammen mit Gleichgewichtsstufenfluktuationen und 2D-Inselreifung in einem konsistenten gemeinsamen Rahmen zu verstehen.

(W.Theis and R.M. Tromp, Phys. Rev. Lett. 76, 2770 (1996))