Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 43: Quantenpunkte III

HL 43.7: Vortrag

Freitag, 27. März 1998, 13:00–13:15, H1

Gewinn in Quantenpunkt-Strukturen: Messung durch Elektroinjektion — •S. Bognár¹, O. Stier¹, F. Heinrichsdorff¹, M.-H. Mao¹, D. Bimberg¹, N. N. Ledentsov², P. S. Kop’ev², V. M. Ustinov² und Zh. I. Alferov² — ¹Institut für Festkörperphysik, Sekr. PN 5-2, TU-Berlin, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin — ²A. F. Ioffe Physikalisch-Technisches Institut, 194021 St. Petersburg, Russland

Der modale Gewinn von Schichten von InAs-Quantenpunkten (QD) in GaAs-Barrieren wird als Funktion der Ladungsträgerdichte direkt gemessen. Ausgangspunkt sind drei- bzw. vierfach gestapelte Lagen von QD in p-n-Übergängen, die durch MOCVD bzw. MBE hergestellt wurden. Zur Stromführung werden Mesas in [100]-Richtung von 8 µm bzw. 24 µm Stegbreite präpariert und auf der p-Seite mit Ohmschen Streifenkontakten versehen. Diese definieren die Gewinn-Sektionen für eine Strichlängen-Methode, bei der die Ladungsträger nicht durch optische Anregung erzeugt werden, sondern durch Elektroinjektion. Die hochdotierten p-Schichten im Mesa werden zur Erhöhung des Unterbrechungswiderstands möglichst tief abgeätzt. Um sicherzustellen, dass die optische Welle keine Mehrfachumläufe macht, wird an einer der beiden Mesa-Stirnseiten ein Absorber durch Stickstoff-Implantation erzeugt. Der so ermittelte modale, differentielle und Material-Gewinn der QD-Strukturen wird mit theoretischen Vorhersagen verglichen.