Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 11: Poster (I)

O 11.34: Poster

Montag, 23. März 1998, 19:30–22:30, Bereich C

Temperaturabh"angige elektronische Struktur der sauerstoffbedeckten Gd(0001) Oberfl"ache — •C. Sch"u"sler-Langeheine, R. Meier, Z. Hu, E. Weschke, and G. Kaindl — Freie Universit"at Berlin, Institut f"ur Experimentalpysik, Arnimallee 14, D-14195 Berlin

Die "Anderung der elektronischen Struktur der Gd(0001)-Oberfl"ache durch Adsorption von Sauerstoff wurde mit winkelaufgel"oster Photoelektronenspektroskopie untersucht. Mit zunehmender Sauerstoffbedeckung entsteht ein neuer Zustand nahe der Fermikante, w"ahrend der Oberfl"achenzustand und das d-Band des Gd unterdr"uckt werden. Dieser Zustand hat die Eigenschaften eines Oberfl"achenbandes. Er zeigt Dispersion entlang k_∥ aber keine Dispersion entlang k_⊥. An der chemischen Verschiebung des Gd 4f-Multipletts kann man erkennen, da"s es sich bei dem System nicht um Gd₂ O₃ handelt. Unterhalb der Curietemperatur des Volumens zeigt der sauerstoffinduzierte Zustand eine Aufspaltung, die in ihrem Temperaturverhalten der Austauschaufspaltung des Leitungsbandes [1] entspricht. Der Betrag der Aufspaltung ist mit ≈ 460 meV bei 50 K kleiner als der des Leitungsbandes (≈ 800 meV).

[1] B. Kim et. al, Phys. Rev. Lett. 68 1931 (1992)