Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 28: Elektronische Struktur (Experiment und Theorie) (III)
O 28.2: Vortrag
Donnerstag, 26. März 1998, 11:30–11:45, H37
Zusammenhang zwischen Oberflächenzuständen und Antikorrugation in STM-Bildern von Übergangsmetalloberflächen — •Stefan Heinze1,2, Stefan Blügel1, Rene Pascal2, Matthias Bode2 und Roland Wiesendanger2 — 1Institut für Festkörperforschung, Forschungszentrum Jülich, 52425 Jülich — 2Zentrum für Mikrostrukturforschung, Universität Hamburg, 20355 Hamburg
Die Interpretation atomar aufgelöster STM-Bilder von Metalloberflächen geht im allgemeinen von der einfachen Annahme aus, daß die Elektronen die Kernladung abschirmen und somit Atompositionen und hohe Elektronenladungsdichte übereinstimmen. Dies kann für einfache Metalle wie Au, Al oder Cu richtig sein, jedoch gilt es nicht mehr für Übergangsmetalle deren d-Elektronen gerichtete Bindungen eingehen. Wir stellen in diesem Beitrag auf dem Tersoff-Hamann Modell basierende Rechnungen vor, die zeigen, daß bei Übergangsmetalloberflächen in weiten Energiebereichen mit dem Auftreten von Antikorrugation gerechnet werden muß. Die Ursache für diesen Effekt führen wir auf die elektronische Struktur der untersuchten Systeme und insbesondere auf deren Oberflächenzustände zurück. Vorgestellte Oberflächen sind die unmagnetischen Systeme W(110) und Ta(110) sowie die magnetischen Systeme Fe(110) und Fe(100).
Die Rechnungen basieren auf der Dichtefunktionaltheorie in der lokalen Dichtenäherung und wurden mit der full-potential linearized augmented-plane wave method (FLAPW) in Filmgeometrie durchgeführt.