O 28: Elektronische Struktur (Experiment und Theorie) (III)
Donnerstag, 26. März 1998, 11:15–13:00, H37
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11:15 |
O 28.1 |
Interpretation spitzeninduzierter Zustände in der Rastertunnelspektroskopie von InAs(110) — •M. Morgenstern, R. Dombrowski, Chr. Wittneven und R. Wiesendanger
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11:30 |
O 28.2 |
Zusammenhang zwischen Oberflächenzuständen und Antikorrugation in STM-Bildern von Übergangsmetalloberflächen — •Stefan Heinze, Stefan Blügel, Rene Pascal, Matthias Bode und Roland Wiesendanger
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11:45 |
O 28.3 |
RTM und RTS an Tb/W(110) — •R. Pascal, H. Tödter, M. Bode und R. Wiesendanger
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12:00 |
O 28.4 |
Die lokale elektronische Zustandsdichte von Li auf Si(111)-7 ×7 und Si(111):H Oberflächen — •H. Winnefeld, M. Czanta, G. Dellemann, A. Eisele, H.J. Jänsch, G. Kirchner, J.J. Paggel, H. Tilsner, R. Veith, Chr. Weindel und D. Fick
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12:15 |
O 28.5 |
HREELS-Untersuchungen an 3C-SiC(100)-Oberflächen — •T. Balster, V. Polyakov, H. Ibach und J.A. Schaefer
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12:30 |
O 28.6 |
Adsorbatinduzierter Oberflächenwiderstand beobachtet mit IR- Transmissionsspektroskopie — •G. Fahsold, A. Bartel, O. Krauth und A. Lehmann
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12:45 |
O 28.7 |
Oberflächenstruktur von reinem Benzylalkohol aus Photoelektronenspektroskopie — •Frank Knoll, Harald Morgner und Jürgen Vogt
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