Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 28: Elektronische Struktur (Experiment und Theorie) (III)

O 28.4: Vortrag

Donnerstag, 26. März 1998, 12:00–12:15, H37

Die lokale elektronische Zustandsdichte von Li auf Si(111)-7 ×7 und Si(111):H Oberflächen — •H. Winnefeld¹, M. Czanta², G. Dellemann², A. Eisele², H.J. Jänsch¹, G. Kirchner¹, J.J. Paggel¹, H. Tilsner², R. Veith¹, Chr. Weindel¹ und D. Fick¹ — ¹Fachbereich Physik und Wissenschaftliches Zentrum für Materialwissenschaften der Philipps-Universität, 35032 Marburg — ²Max-Planck-Institut für Kernphysik, Postfach 103980, 69029 Heidelberg

Es wird über eine Messung der lokalen elektronischen Zustandsdichte (LDOS(E_F), aus NMR-Messung) für die Si(111)-7×7 und für unterschiedlich präparierte, wasserstoffterminierte Si(111):H Oberflächen berichtet. Es zeigt sich, daß die im UHV bei 200 K und 650K präparierten Si(111):H Oberflächen gegenüber der sauberen, Si(111)-7×7 eine um etwa 1/3 reduzierte LDOS aufweisen, wie man es - bedingt durch eine Absättigung der dangling bonds durch die H-Terminierung - erwarten würde. Hingegen unterscheidet sich die naßchemisch NH₄F(aq) geätzte Si(111)-1×1 Oberfläche, zur Untersuchung ins UHV eingeschleust, von der dort präparierten durch erheblich erhöhte Relaxationsraten in der NMR, welche - als Korringa-Relaxation interpretiert - dann auf eine stark erhöhte LDOS schließen lassen. Die unerwarteten Ergebnisse werden diskutiert. Die Methode gestattet aus einer β-NMR-Messung der Korringa-Relaxation an der eingesetzten Sonde ⁸Li eine direkte Bestimmung der LDOS(E_F) am Sondenkernort. Gefördert durch den SFB 383, das BMBF unter 05 622 RMA und das MPI für Kernphysik, Heidelberg.