Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 9: Elektronische Struktur (Experiment und Theorie)(I)
O 9.3: Vortrag
Montag, 23. März 1998, 16:45–17:00, H37
Ab–initio Berechnung von Punktdefekten in oberflächennahen Schichten von III-V Halbleitern — •M. Aretz, K. Schroeder und S. Blügel — Institut für Festkörperforschung, Forschungszentrum Jülich, 52425 Jülich
Die Identifikation verschiedener Atomsorten in mehrkomponentigen Oberflächen mittels Rastertunnelmikroskopie (STM) ist noch weitgehend ungeklärt. Um diesen Problemkreis genauer zu verstehen und mögliche Kontrastvariationen abzuschätzen, führen wir theoretische Rechnungen zu diesem Thema durch.
In diesem Zusammenhang untersuchen wir isoelektronische Defekte auf III–V Halbleiteroberflächen. Wir haben die atomare und elektronische Struktur von substitutionellen AlGa–, InGa– bzw. GaIn–Punktdefekten in oberflächennahen Schichten von GaAs(110) bzw. InP(110) mittels der ab initio Molekulardynamikmethode berechnet. Die Methode basiert auf der Pseudopotentialtheorie und der Dichtefunktionaltheorie (DFT) in der lokalen Dichtenäherung (LDA).
Die atomare Geometrie der Systeme mit Punktdefekt wurde mit Hilfe dynamischer Strukturoptimierung bestimmt, und die Energetik der verschiedenen Substitutionsplätze in der oberflächennahen Schicht wird diskutiert. Wir berechnen STM-Bilder nach dem Modell von Tersoff und Hamann [1] und vergleichen unsere Resultate mit vorliegenden experimentellen Ergebnissen.
[1] T. Tersoff and D. R. Hamann, Phys. Rev. B. 31, 805 (1985).