O 9: Elektronische Struktur (Experiment und Theorie)(I)
Montag, 23. März 1998, 16:15–19:15, H37
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16:15 |
O 9.1 |
Bandstruktureffekte in BEEM: Atomare Aufl"osung und Oberfl"acheneffekte bei CoSi2/Si — •K. Reuter, K. Heinz, P.L. de Andres, F.J. Garcia-Vidal, and F. Flores
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16:30 |
O 9.2 |
Berechnung von Surface Core Level Shifts an As/Si(001) Oberflächen — •F. Sökeland, H. Zacharias, P. Kratzer und M. Scheffler
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16:45 |
O 9.3 |
Ab–initio Berechnung von Punktdefekten in oberflächennahen Schichten von III-V Halbleitern — •M. Aretz, K. Schroeder und S. Blügel
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17:00 |
O 9.4 |
Ultrasofte Pseudopotentiale für Ga3d- und In4d-Elektronen: Anwendung auf III-Nitrid-Oberflächen — •U. Großner, J. Furthmüller und F. Bechstedt
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17:15 |
O 9.5 |
Photoelektronenspektroskopie an Be-Chalcogeniden — •M. Nagelstraßer, H. Dröge, H.-P. Steinrück, A. Fleszar, F. Fischer, A. Waag und G. Landwehr
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17:30 |
O 9.6 |
Density Functional Studies of the (010) Surface of Vanadium Pentoxide — •A. Chakrabarti, K. Hermann, R. Druzinic, and M. Witko
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17:45 |
O 9.7 |
Theoretische Untersuchungen zu Oberflächenzuständen von Pt (111) — •M. Petersen, P. Ruggerone und M. Scheffler
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18:00 |
O 9.8 |
Surface electronic structure by linear methods of band theory — •E.E. Krasovskii and W. Schattke
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18:15 |
O 9.9 |
Berechnete RAS-Spektren der InP(001)-(2x4) Oberfl"ache — •S. Bose, R. DelSole, N. Esser, and W. Richter
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18:30 |
O 9.10 |
Ab-initio Berechnungen von elektronischen Korrelationen zur Rekonstruktion und Wasserstoffbedeckung der Si(100) Oberfl"ache — •Beate Paulus
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18:45 |
O 9.11 |
Ab initio-Berechnung der Struktur und Oberfl"achenphononen von Si(100):Sb(2 × 1) und Si(100):H(1 × 1) — •M. Arnold, R. Honke, P. Pavone, and U. Schr"oder
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19:00 |
O 9.12 |
Wie funktioniert die H-Passivierung von Si-Oberflächen ? - Untersuchungen mit Molekulardynamik — •U. Hansen und P. Vogl
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