Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 9: Elektronische Struktur (Experiment und Theorie)(I)
O 9.9: Vortrag
Montag, 23. März 1998, 18:15–18:30, H37
Berechnete RAS-Spektren der InP(001)-(2x4) Oberfl"ache — •S. Bose1, R. DelSole2, N. Esser2, and W. Richter2 — 1Institut für Theoretische Physik, TU Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin — 2Institut für Festk"orperhysik, TU Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin
Die Reflexions-Anisotropie-Spektroskopie wird seit einigen Jahren als empirische Methode zur Charakterisierung von Halbleiter-Oberfl"achen eingesetzt. Ein mikroskopisches Verst"adnis der Ursachen der optischen Anisotropie fehlt jedoch noch in den meisten F"allen. In diesem Beitrag pr"asentieren wir Berechnungen der optischen Anisotropie [1] f"ur verschiedene, in der Literatur vorgeschlagene [2] Rekonstruktionen der InP(001)-Oberfl"ache. Die exakte atomare Struktur der verschiedenen Vorschl"age wurde aus [2] "ubernommen, wo sie mit Hilfe von DFT-LDA Gesamtenergieberechnungen bestimmt wurden.
Durch einen Vergleich der berechneten Spektren untereinander und mit experimentellen Daten stellt sich heraus, da"s die RAS hier nicht besonders empfindlich auf eine spezielle Bindungsstruktur auf der Oberfl"ache reagiert. Eine Zerlegung des optischen Responses in Oberfl"achen- und Volumenbeitr"age zeigt, da"s der wesentliche Anteil der Anisotropie aus einem Bereich der 2. und 3. Atomlage stammt, der durch die Oberfl"ache modifiziert wird.
[1] R. Del Sole, in Photonic Probes of Surfaces, Ed. P. Halevi, Elsevier
[2] W. G. Schmidt, Dissertation, Friedrich-Schiller-Universit"at Jena (1997)