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Münster 1999 – scientific programme

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O: Oberflächenphysik

O 10: Epitaxie und Wachstum (I)

Monday, March 22, 1999, 16:15–19:00, S2

16:15 O 10.1 Ab-initio Untersuchungen der Adatom Diffusion auf Si(111)3×3 — •A. Antons, R. Berger, S. Blügel und K. Schroeder
16:30 O 10.2 Diffusion und Einbau von Ge- und Si-Adatomen auf As–terminiertem Si(111): ein Vergleich — •Kurt Schroeder und Stefan Blügel
16:45 O 10.3 CVD-Wachstum von Germanium auf Si(111)–(7×7) — •J. Braun, H. Rauscher und R.J. Behm
17:00 O 10.4 Bildung dreidimensionaler Ge-Inseln auf Si(100) untersucht mit einem Hochtemperatur-STM — •M. Sulzberger, M. Kästner, B. Voigtländer und H.P. Bonzel
17:15 O 10.5 STM-Untersuchung von Ga auf Si(001) — •J.H. Zeysing, O. Bunk, G. Falkenberg und R.L. Johnson
17:30 O 10.6 Diffusion mechanisms and the nature of Si ad-dimers on Ge(001) — •E. Zoethout, H.J.W. Zandvliet, W. Wulfhekel, G. Rosenfeld, and B. Poelsema
17:45 O 10.7 Wachstum von Ge auf Ge(113): Eine Untersuchung mit SPA-LEED und Röntgenbeugung — •A. Hirnet, M. Albrecht, M. Gierer und W. Moritz
18:00 O 10.8 Kohlenstoff induzierte Oberflächenrekonstruktionen auf Siliziumoberflächen — •Friedhelm Scharmann, Stauden Thomas, Eichhorn Gerd und Pezoldt Jörg
18:15 O 10.9 Wachstumskinetik in der Heteroepitaxie: CaF2 auf Si(111) — •Andreas Klust, Robert Kayser, Holger Pietsch und Joachim Wollschläger
18:30 O 10.10 Zerstörungsfreie Bestimmung von Polytyp und Polarität dünner Siliziumkarbid- und III-Nitrid-Schichten mit Elektronenbeugungsmethoden — •B. Schröter, A. Fissel, M. Kreuzberg und Wo. Richter
18:45 O 10.11 Van der Waals-Xenotaxie : Wechsel von rechtwinkliger zu hexagonaler Symmetrie an epitaktischen GaAs(110)/GaSe(001) Grenzflächen — •R. Rudolph, C. Pettenkofer, A. Klein und W. Jaegermann
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