Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 5: Laserverfahren II

DS 5.2: Fachvortrag

Montag, 27. März 2000, 15:00–15:15, H31

Quantifizierung der Wiederabsputterrate (Sputter-Yield) bei der Laserdeposition im Ultrahochvakuum und in Ar-Gasatmosphäre — •H.-U. Krebs und K. Sturm — Institut für Materialphysik, Windausweg 2, 37073 Göttingen und SFB 345

Aufgrund der bei der Laserdeposition im UHV auftretenden hohen kinetischen Energie der deponierten Ionen von etwa 100 eV kommt es zu Wiederabsputtern von Oberflächenatomen von der Filmoberfläche und Implantationseffekten unter die Oberfläche. Mithilfe von Ratenmessungen mit einem Schwingquarz konnten die Sputtereffekte im UHV nachgewiesen und quantifiziert werden. Im UHV treten z.B. bei Ag Werte des Sputter-Yields von mehr als 0.5 auf. Bei Deposition in Ar-Gas nimmt oberhalb von etwa 0.01 mbar das Wiederabsputtern stark ab. Ein Modell zur quantitativen Berechnung der Sputter-Yields wird beschrieben und die berechneten Daten mit Molekulardynamik-Simulationen und Sputter-Ergebnissen der Literatur diskutiert.