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Dresden 2003 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 11: SiC I

Monday, March 24, 2003, 15:15–17:00, BEY/154

15:15 HL 11.1 Diffusion von Silizium in isotopenangereichertem Siliziumkarbid — •Kathrin Rüschenschmidt, Hartmut Bracht, Michael Laube, Nicolaas Stolwijk, Gerhard Pensl und George Brandes
15:30 HL 11.2 Hallstreufaktor für Löcher in Aluminium-dotiertem 4H- und 6H-SiC — •Frank Schmid, Michael Laube, Gerhard Pensl und Günter Wagner
15:45 HL 11.3 Wachstum von Phosphor-dotierten 6H-SiC Einkristallen nach der Modifizierten Lely-Methode — •Kurt Semmelroth, F. Schmid, D. Karg, G. Pensl, M. Maier, S. Greulich-Weber und J.-M. Spaeth
16:00 HL 11.4 Überwachsen von Fullerenmolekülen mit Silizium — •Florian Hutterer, Tanja Stimpel, Hermann Baumgärtner und Ignaz Eisele
16:15 HL 11.5 Hydrogen saturated a-planes of 4H-SiC studied by LEED, SXPS, and FTIR-ATR — •Th. Seyller, L. Ley, A. Taddich, J.D. Riley, and R.G.C. Leckey
16:30 HL 11.6 Characterization of ALCVD-Al2O3 thin films on 6H-SiC(0001) — •K.Y. Gao, F. Ciobanu, Th. Seyller, L. Ley, G. Pensl, A. Taddich, J.D. Riley, and R.G.C. Leckey
16:45 HL 11.7 Kohlenstoff-Cluster in SiC: Bildung und Eigenschaften — •A. Mattausch, M. Bockstedte und O. Pankratov
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