Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 14: Poster I
HL 14.65: Poster
Montag, 24. März 2003, 17:00–19:30, HSZ/P2
Selbstjustierende Prozessierung indexgeführter InGaN/GaN-Laserdioden mit Stegwellenleiter — •A. Leber, A. Weimar, S. Miller, S. Bader, G. Brüderl, V. Kümmler, A. Lell und V. Härle — OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Wernerwerkstr. 2, 93049 Regensburg
Schmale Stegwellenleiter-Strukturen werden zur Herstellung
GaN-basierter Laserdioden für den blau-violetten Spektralbereich
bevorzugt verwendet. Für kinkfreien Betrieb und geringe Schwellenströme
sind dabei Wellenleiterbreiten ≤ 1,5 µ m anzustreben
[1].
Der elektrische Anschluss der p-GaN-Kontaktschicht erfordert eine
Öffnung der ganzflächig abgeschiedenen SiO2-Passivierung auf
dem Steg.
Findet der dazu notwendige fotolithografische Schritt über
Kontaktbelichtung statt, so ist die Ausbeute an Laserdioden mit Stegbreiten
kleiner 2 µ m aufgrund der begrenzten Justiergenauigkeit
sehr gering.
In diesem Beitrag soll ein Verfahren vorgestellt werden, mit dem es
möglich
ist, die Kontaktöffnung selbstjustierend durch Lift-off eines
“Opferschicht”-Systems zu prozessieren. Dadurch wird das Justageproblem
eliminiert und die Anzahl der notwendigen Fotolithografieprozesse
reduziert.
Durch Anwendung dieses Verfahrens konnten
InGaN/GaN-Laserdioden mit 1,5 µ m breiten
Stegwellenleitern bei hoher Bauteil-Ausbeute hergestellt werden.
[1] T. Tojyo et. al. , Jpn. J. Appl. Phys. 41, 1829 (2002)