Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 30: Photovoltaik
HL 30.5: Vortrag
Mittwoch, 26. März 2003, 15:30–15:45, BEY/81
Untersuchung der chemischen und der elektronischen Eigenschaften von V/Sb2Te3/CdTe als Rückkontaktsystem für die CdTe-Dünnschicht-Solarzelle — •Daniel Kraft, Bettina Späth, Andreas Klein, Andreas Thissen und Wolfram Jaegermann — Technische Universität Darmstadt, Institut für Materialwissenschaft, 64287 Darmstadt
Die Herstellung von Rückkontakten mit einem niedrigen Übergangswiderstand stellt eines der Hauptprobleme in der CdTe-Dünnschicht-Solarzellenforschung dar. In der Regel werden ohmsche Kontakte durch stark p-dotierte Bereiche an der Grenzfläche erreicht, deren schmale Raumladungszone leicht durchtunnelt werden kann. Unglücklicherweise führt die fortschreitende Diffusion der Dotanden während des Solarzellenbetriebs zu einer Degradation der Zelle, die daher den Einsatz von beispielsweise Cu-haltigen Rückkontaktmaterialien einschränkt. Stabile CdTe-Solarzellen konnten durch die Verwendung von Metall/Sb2Te3-Schichtsystemen als Rückkontakt hergestellt werden. Die chemischen und elektronischen Eigenschaften dieser Schichtsysteme wurden mit Hilfe der Photoelektronenspektroskopie untersucht. Die Abscheidung von V auf ein zuvor im UHV präpariertes Sb2Te3/CdTe-Schichtsystem führt zur Zersetzung des Sb2Te3 verbunden mit der Bildung elementaren Sb sowie eines Metall-Tellurids. Durch Heizen kann zwar das Sb in das CdTe eindiffundiert werden, allerdings führt dies nicht zu einer starken p-Dotierung der CdTe-Schicht an der Grenzfläche.