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Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 30: Photovoltaik

Mittwoch, 26. März 2003, 14:30–19:00, BEY/81

14:30 HL 30.1 Molekularstrahlepitaxie von CuInS2 auf GaAs — •Wolfram Calvet, Hans-Joachim Lewerenz und Christian Pettenkofer
14:45 HL 30.2 Untersuchungen der Temperaturabhängigkeit elektrischer Eigenschaften von unkonventionell kontaktierten Solarzellen aus multikristallinem Silizium — •Milena Dineva, Viktor Schlosser, Rita Ebner und Johann Summhammer
15:00 HL 30.3 Van der Waals epitaxy of Mo6Se8 and MoSe2 on HfS2 — •Thorsten Zandt, Christof Gaiser, Ralf Severin, Steffen Duhm, Alica Krapf, Christoph Janowitz, and Recardo Manzke
15:15 HL 30.4 Bandgap engineering for HfSxSe2−x — •Christof Gaiser, Thorsten Zandt, Ralf Serverin, Alica Krapf, Christoph Janowitz, and Ricardo Manzke
15:30 HL 30.5 Untersuchung der chemischen und der elektronischen Eigenschaften von V/Sb2Te3/CdTe als Rückkontaktsystem für die CdTe-Dünnschicht-Solarzelle — •Daniel Kraft, Bettina Späth, Andreas Klein, Andreas Thissen und Wolfram Jaegermann
15:45 HL 30.6 Variation der Oberflächenzusammensetzung von Cu(In,Ga)Se2 Dünnschichten durch Oxidation und naßchemischer Ätze — •Ralf Hunger, Thomas Schulmeyer, Mikhail Lebedev, Andreas Klein und Wolfram Jaegermann
16:00 HL 30.7 Wachstum und Morphologie von epitaktischem Cu(Ga,In)S2 auf Si — •Marcel Müller, Heiner Metzner, Thomas Hahn, Janko Cieslak, Jens Eberhardt, Udo Reislöhner und Wolfgang Witthuhn
16:15 HL 30.8 Strukturelle und optische Eigenschaften von epitaktischen Cu(In,Ga)S2-Schichten auf Si — •Th. Hahn, H. Metzner, U. Kaiser, A. Chuvilin, J. Cieslak, J. Eberhardt, M. Müller, U. Reislöhner, W. Witthuhn, J. Kräusslich, F. Hudert und R. Goldhahn
16:30 HL 30.9 Über die Eigenschaften von mittels PVD gewachsenen Indiumsulfid-Pufferschichten in Cu(In,Ga)Se2-Solarzellen — •R. Kerstin Gebhardt, Viktor Laptev und Hans-Werner Schock
16:45 HL 30.10 SELF-ALIGNING, BACK CONTACTED SILICON SOLAR CELLS WITH EFFICIENCIES > 18 % — •Jörg W. Müller, Agnes Merkle, and Rudolf Hezel
17:00 HL 30.11 X-Ray Emission and Photoelectron Spectroscopy of Buried Interfaces in Cu(In,Ga)(S,Se)2 Thin Film Solar Cells with Novel Buffer Layers — •J. Reichardt, M. Bär, I. Lauermann, I.M. Kötschau, A. Grimm, S. Sokoll, M.Ch. Lux-Steiner, Ch.H. Fischer, L. Weinhardt, O. Fuchs, C. Heske, C. Jung, W. Gudat, T.P. Niesen, and F. Karg
17:15 HL 30.12 Investigation of the chemical and electronic properties of the deeply buried Cu(In,Ga)(S,Se)2/Mo interface in thin film solar cells — •L. Weinhardt, O. Fuchs, C. Heske, E. Umbach, J. Reichardt, M. Bär, I. Lauermann, I.M. Kötschau, A. Grimm, A. Sokoll, Ch.H. Fischer, M.Ch. Lux-Steiner, T.P. Niesen, F. Karg, Ch. Jung, and W. Gudat
17:30 HL 30.13 Investigation of correlation between the Ga-content in Cu(In,Ga)Se2 solar cells and cell parameters — •Verena Mertens, Vladimir Dyakonov, Jürgen Parisi, Rolf Reineke-Koch, Marc Köntges, and Robert Kniese
17:45 HL 30.14 Amorphous/Crystalline Heterojunction Solar Cells — •A. Froitzheim, M. Scherff, A. Ulyashin, M. Schmidt, W. Fahrner, and W. Fuhs
18:00 HL 30.15 Band structure of CuI/CuInS2 heterointerface — •Igor Konovalov and Rüdiger Szargan
18:15 HL 30.16 Reduzierung des metastabilen Defektes in Cz-Si für Solarzellen — •Karsten Bothe und Jan Schmidt
18:30 HL 30.17 Material properties of tricrystalline silicon for solar cell fabrication — •Christian Schmiga, Jan Schmidt, and Rudolf Hezel
18:45 HL 30.18 Optimierung von SiNx-Filmen zur Passivierung von Si-Solarzellen mit einer PECVD-Durchlaufanlage — •Jürgen Henze, Jan Schmidt, Jens D. Moschner und Rudolf Hezel
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