Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm
Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
HL: Halbleiterphysik
HL 30: Photovoltaik
HL 30.8: Vortrag
Mittwoch, 26. März 2003, 16:15–16:30, BEY/81
Strukturelle und optische Eigenschaften von epitaktischen Cu(In,Ga)S2-Schichten auf Si — •Th. Hahn1, H. Metzner1, U. Kaiser1, A. Chuvilin1, J. Cieslak1, J. Eberhardt1, M. Müller1, U. Reislöhner1, W. Witthuhn1, J. Kräusslich2, F. Hudert3 und R. Goldhahn3 — 1FSU Jena, Institut für Festkörperphysik, Max-Wien-Platz 1, 07743 Jena, Germany — 2FSU Jena, Institut für Optik und Quantenelektronik, Max-Wien-Platz 1, 07743 Jena, Germany — 3TU Ilmenau, Institut für Physik, FG Experimentalphysik I, Weimarer Str. 32, 98693 Ilmenau, Germany
Das Materialsystem Cu(In1−xGax)S2 (CIGS) erschließt einen weiten Bereich von Bandlücken (EGap=1.5eV für CuInS2 (CIS) bis 2.5eV für CuGaS2 (CGS)) und Gitterparametern (aCGS=0.535nm bis aCIS=0.552nm). Damit bietet es das Potential für maßgeschneiderte wide band-gap Absorber- und Fensterschichten für photovoltaische Bauelemente.
In der vorliegenden Arbeit wurden CIGS-Schichten mit 0 ≤ x ≤ 1 auf verschieden orientierten S-terminierten Si-Oberflächen mittels Molekularstrahlepitaxie abgeschieden. Diese wurden über Rutherford Rückstreuung, Transmissionselektronenmikroskopie, Röntgenbeugung, Photolumineszenz und Photoreflexionsmessungen untersucht. Die Schichten zeigen eine lineare Variation der Bandlücken und Gitterkonstanten mit der Zusammensetzung. Insbesondere wird für x=0.42(2) eine perfekte Gitteranpassung an die Si-Substrate gefunden. Daneben wird der Übergang von der hochgeordneten Chalcopyritstruktur für x=1 zur metastabilen CuAu-Ordnung für x=0 gezeigt.