Berlin 2008 – wissenschaftliches Programm

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HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 31: Poster II

HL 31.29: Poster

Dienstag, 26. Februar 2008, 16:30–19:00, Poster D

Molekularstrahlepitaxie-kompatible Nanostrukturierung von GaAs durch Lokale Anodische Oxidation mit einem Rasterkraftmikroskop — •Daniel Laipple, Andrea Stemmann, Christian Heyn und Wolfgang Hansen — Institut für Angewandte Physik, Universität Hamburg

Bei der anodischen Oxidation dient der natürliche Wasserfilm auf der Substratoberfläche als Elektrolyt und Sauerstoffreservoir. Zur gezielten lokalen Oxidation wird mit einem kommerziellen Rasterkraftmikroskop (AFM) an eine leitfähige Spitze eine, bezüglich dem zu oxidierenden GaAs Wafer, negative Spannung angelegt. Bei einer relativen Luftfeuchtigkeit von ca. 40% entstehen Oxidstrukturen von bis zu 25nm Höhe.

Nach thermischer Desorption des Oxids unter Vakuum invertieren die aus der Oberfläche ragenden Strukturen zu Gräben in der Oberfläche. Die Grabentiefe ist ähnlich der Höhe der ursprünglichen Oxidstrukturen. Interessanterweise werden auch vom Oxid eingeschlossene Flächen bis zu einer gewissen Größe abgetragen.

In einem weiteren Schritt werden durch thermische Desorption in der Wachstumskammer erzeugte Grabenstrukturen mittels Molekularstrahlepitaxie mit GaAs überwachsen, wodurch Stufenkanten, z.B. für die laterale Anordnung von selbstorganisierten InAs Quantenpunkten, entstehen.