Berlin 2008 – wissenschaftliches Programm

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HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 33: III-V semiconductors II

HL 33.6: Vortrag

Mittwoch, 27. Februar 2008, 15:45–16:00, EW 201

Morphologische und strukturelle Untersuchungen an AlInN auf GaN/Si(111) — •Aniko Gadanecz, Jürgen Bläsing, Armin Dadgar, Christoph Hums, Thomas Hempel, Jürgen Christen und Alois Krost — Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, Institut für Experimentelle Physik, Fakultät für Naturwissenschaften, Universitätsplatz 2, 39016 Magdeburg, Germany

AlInN ist ein, u.a. für elektrische und optoelektronische Anwendungen hochinteressanter III-V-Halbleiter, wie z.B. für Hochleistungs-FETs und Bragg-Spiegel. Mittels metallorganischer Gasphasenepitxie (MOCVD) gewachsene AlInN-Schichtserien auf GaN/Si(111) verschiedener Schichtdicken bis max. 100 nm und mit In-Konzentrationen im Bereich von 9% bis 36% wurden untersucht. Als besondere Eigenschaft von AlInN gilt das gitterangepasste Wachstum auf GaN bei einem In-Gehalt von 17,4 %; eine Abweichung der Konzentration von 17,4% verursacht im Falle eines auf GaN voll verspannten Gitters eine kompressive oder tensile Verspannung. Überschreitet zusätzlich die Schichtdicke einen kritischen Wert, sind die Schichten bereits nach dem Wachstum teilrelaxiert bzw. vollständig relaxiert. Je stärker ausgeprägt die Relaxation der Schichten, umso größer die Tendenz für eine Entmischung, wodurch phasenseparierte Gebiete unterschiedlicher In-Konzentrationen entstehen und die Qualität deutlich verschlechtert wird. Die morphologischen und strukturellen Eigenschaften, wie Relaxation, Phasenseparation und Oberflächenmosaizität wurden mittels hochauflösender Röntgenbeugung, Röntgenreflektometrie und Feldemissions-Rasterelektronenmikroskopie (FEREM) untersucht.