Berlin 2008 – wissenschaftliches Programm

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HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 36: Poster III

HL 36.41: Poster

Mittwoch, 27. Februar 2008, 16:30–19:00, Poster D

Untersuchung von relaxierten und nicht-relaxierten InGaN Quantenfilmen mit Photolumineszenz und Röntgenbeugung — •Torsten Langer, Holger Jönen, Lars Hoffmann, Daniel Dräger, Heiko Bremers, Daniel Fuhrmann, Uwe Rossow und Andreas Hangleiter — Technische Universität Braunschweig, Institut für Angewandte Physik, Mendelssohnstrasse 2, 38106 Braunschweig

Für optoelektronische Anwendungen im langwelligen Bereich werden InGaN-Quantenfilme mit hohem Indium-Gehalt von grösser 30% benötigt. Da bei so hohem Indium-Gehalt sehr grosse Piezofelder aufgrund der Verspannung zum GaN vorhanden sind, müssen die Schichtdicken fuer eine gute Quanteneffizienz deutlich kleiner als im blau-violetten Bereich sein. Für eine gute Homogenität in der Schichtdicke und der Indium-Konzentration sowie einer guten Injektion der Ladungsträger ist dagegen eine möglichst grosse Schichtdicke vorteilhaft. Für eine Indium-Konzentration von etwa 30% sehen wir eine Relaxation in Röntgenbeugung für Schichten von ca. 2.5nm. Wir stellen vergleichende Messungen von Photolumineszenz und Röntengenbeugung vor zur Frage der Homogenität der Indium-Konzentration an der Schwelle zur Relaxation der InGaN-Quantenfilme.