Berlin 2008 – wissenschaftliches Programm
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HL: Fachverband Halbleiterphysik
HL 47: GaN: preparation and characterization I
HL 47.7: Vortrag
Donnerstag, 28. Februar 2008, 15:30–15:45, EW 202
Herstellung und Implantation von 172Lu(172Yb) in GaN und Messung bei tiefen Temperaturen — •Riccardo Valentini und Reiner Vianden — Helmholtz - Institut für Strahlen- und Kernphysik, Nußallee 14-16, 53115 Bonn
Für optoelektronische Bauteile werden Halbleiter mit großer Bandlücke verwendet, die mit Seltenen Erden dotiert sind. Um deren Verhalten nach der Implantation zu untersuchen, hat sich die Methode der γ-γ-Winkelkorrelation (PAC) bewährt. Ein geeignetes Isotop zur Untersuchung solcher Halbleiter ist 172Yb.
Die Herstellung des Mutterisotops 172Lu erfolgt durch Bestrahlung einer Thulium-Folie mit 4He, 169Tm(α,n)172Lu, am Bonner Isochron-Zyklotron und die Implantation in GaN am Bonner Isotopenseparator, d.h. Herstellung und Implantation finden vor Ort statt.
Es soll die Temperaturabhängigkeit der Hyperfeinfelder für 172Lu(172Yb) in GaN untersucht werden. Wir führen Messungen bei tiefen Temperaturen zwischen 75 K und 295 K in einem Displex durch. Zu erwarten ist generell eine Zunahme der Wechselwirkungsfrequenz. Der Verlauf bei Temperaturen um 100 K konnte bisher noch nicht eindeutig geklärt werden. Die Messungen werden auf einer PAC-Anlage durchgeführt, die das Material LSO als Szintillator benutzt. Dadurch kann eine bessere Energieauflösung, eine höhere Anisotropie und eine kürzere Messzeit als mit anderen Szintillatormaterialien erzielt werden.