Berlin 2008 – wissenschaftliches Programm

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HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 48: ZnO: Preparation and characterization II

HL 48.2: Vortrag

Donnerstag, 28. Februar 2008, 09:45–10:00, ER 164

As-Dotierung von homoepitaktisch abgeschiedenen ZnO-Schichten — •Sören Heinze, Andre Krtschil, Jürgen Bläsing, Hartmut Witte, Armin Dadgar, Frank Bertram, Peter Veit, Jürgen Christen und Alois Krost — Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, Fakultät für Naturwissenschaften, Institut für Experimentelle Physik

Zahlreiche Arbeitsgruppen konnten mittlerweile Erfolge bei der Homoepitaxie von ZnO auf thermisch vorbehandelten Substraten erzielen. Uns gelang dabei erstmals die homoepitaktische Abscheidung in einem 2-dimensionalen Wachstumsmodus, wie in Referenz [1] berichtet. Die Schichten zeigen dabei nicht nur exzellente morphologische sondern auch ausgezeichnete Lumineszenzeigenschaften hinsichtlich Homogenität der Wellenlänge und Intensität des emittierten Lichts, was an Hand von Kathodolumineszenzuntersuchngen gezeigt wurde. Desweiteren wurde mittels TEM-Untersuchungen die mikroskopische Ursache der Oszillationen in θ-2θ-XRD-Messungen welche von verschiedenen Autoren (z.B. in Referenz [2]) berichtet wurden aufgeklärt. Außerdem werden erste Ergebnisse zur As-Dotierung homoepitaktisch gewachsener Schichten präsentiert.

[1] S. Heinze et al. "Homoepitaxial growth of ZnO by metalorganic vapor phase epitaxy in two-dimensional growth mode", Journal of Crystal Growth 308, 170 (2007)

[2] D.J. Rogers et al. "ZnO homoepitaxy on the O polar face of hydrothermal and melt-grown substrates by pulsed laser deposition", Appl. Phys. A 88, (2007)