Berlin 2008 – wissenschaftliches Programm

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HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 9: ZnO: Preparation and characterization I

HL 9.10: Vortrag

Montag, 25. Februar 2008, 17:30–17:45, EW 201

Implantationsuntersuchungen an polaren und unpolaren ZnO Einkristallen — •Patrick Keßler und Reiner Vianden — Helmholtz- Institut für Strahlen- und Kernphysik, Nußallee 14-16, 53115 Bonn

Untersucht wurden in verschiedene Richtungen orientierte ZnO Kristalle mit der Methode der gestörten γ - γ Winkelkorrelation (PAC). Dabei wurden die Kristalle mit ¹¹¹In als Sondenatomen dotiert, die bevorzugt auf Zink Gitterplätze eingebunden werden. Deren direkte Umgebung kann mit der gewählten Messmethode dadurch hochaufgelöst studiert werden.

Um einen möglichen Effekt der Polarität und der daraus resultierenden Oberflächenterminierung auf das Ausheilverhalten der Implantationsschäden zu untersuchen wurde ein vergleichendes isochrones Temperprogramm an <0001>, <1010> und <1120> orientierten ZnO Einkristallen durchgeführt.