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Münster 1997 – scientific programme

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O: Oberflächenphysik

O 33: Reine und H-terminierte Halbleiter

Thursday, March 20, 1997, 16:00–18:45, S 10

16:00 O 33.1 Mehrphotonen Photoelektronenspektroskopie an ZnTe(110) und GaP(110) Halbleiteroberflächen — •M. Reichling, M. Leblans, R.K.R. Thoma, J.L. LoPresti und R.T. Williams
16:15 O 33.2 Rekonstruktion und Morphologie der sublimierenden CdTe(001) Oberfläche — •H. Neureiter, S. Tatarenko, M. Schneider, M. Sokolowski, and E. Umbach
16:30 O 33.3 Untersuchung der elektronischen Struktur der CdSe-Spaltoberflächen mit dem Rastertunnelmikroskop — •B. Siemens, C. Domke, Ph. Ebert und K. Urban
16:45 O 33.4 UHV-RTM-Mikroskopie und -Spektroskopie auf p-InAs(110) — •W. Kresse, M. Bode und R. Wiesendanger
17:00 O 33.5 Spr"odes Brechen beim Spalten von GsAs: Dynamische Instabilit"at auf nm Skala — •M.A. Rosentreter, N.H. Theuerkauf, M. Wenderoth, and R.G. Ulbrich
17:15 O 33.6 Winkelaufgelöste Photoemission an c(2x2) rekonstruierten β -SiC(100) Oberflächen — •F. S. Tautz, S. Sloboshanin, S. Hohenecker, D. R. T. Zahn und J. A. Schaefer
17:30 O 33.7 R"ontgenstrukturanalyse der Ge(113)-(1x3) Oberfl"ache — •H. Vogler, A. Iglesias, W. Moritz, and H. Over
17:45 O 33.8 Spektroskopie von Rumpfelektronen–Niveaus an GaAs(113)–Oberflächen — •C. Setzer, J. Platen und K. Jacobi
18:00 O 33.9 Dynamische Eigenschaften von 3C- und 6H–SiC–Oberflächen — •H. Nienhaus, V. van Elsbergen und W. Mönch
18:15 O 33.10 Untersuchung der Wasserstoffadsorption an 3C-SiC(100)-Oberflächen — •T. Balster, H. Ibach und J.A. Schaefer
18:30 O 33.11 Wasserstoff induziert Domänenwände auf Si(113) — •F.-J. Meyer zu Heringdorf, H. Goldbach, V. Dorna, U. Köhler und H.-L. Günter
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