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O: Oberflächenphysik

O 18: Halbleiteroberfl
ächen und -grenzfl
ächen

Dienstag, 27. März 2001, 11:15–13:15, M

11:15 O 18.1 Photoluminescence measurements of the electronic properties of hydrogenated and reconstructed Si surfaces — •Thomas Dittrich, Frederick Koch, Thomas Bitzer, Thomas Rada, Neville V. Richardson, Joerg Rappich, and Victor Yu. Timoshenko
11:30 O 18.2 Boron-Stabilized c(4×8) Structure of Clean Si(001) — •Hans-Joachim Müssig, Konstantin Ignatovich, Victor Zavodinsky, and Jarek Dabrowski
11:45 O 18.3 Struktur der SiO2/ Si(111)-Grenzfläche — •S. Dreiner, M. Schürmann, C. Westphal und H. Zacharias
12:00 O 18.4 Winkelaufgelöste Photoemission der Oberflächenrekonstruktionen von 4H-SiC(0001) — •Michael Wiets, Martin Weinelt und Thomas Fauster
12:15 O 18.5 Photoemission an elektrochemisch präparierten GaAs-Oberflächen: Hochaufgelöste SXP-Spektren am Strahlrohr U49/2 bei BESSY II — •Martin Beerbom, Thomas Mayer und Wolfram Jaegermann
12:30 O 18.6 Subsurface Dimerization in III-V Compound Semiconductor (001)-Surfaces — •Christian Kumpf, Detlef Smilgies, Erik Landemark, Mourits Nielsen, Oliver Bunk, Jan H. Zeysing, Yixi Su, Robert L. Johnson, Jörg Zegenhagen, and Robert Feidenhans’l
12:45 O 18.7 Die atomare Oberflächenstruktur von InAs-Quantenpunkten auf GaAs(001) — •E. Temko, J. Marquez, L. Geelhaar und K. Jacobi
13:00 O 18.8 Simulation von Sublimation und Atomlagenepiaxie rekonstruierter Oberflächen — •Martin Ahr und Michael Biehl
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