O 31: Halbleiteroberfl
ächen (II)
Donnerstag, 14. März 2002, 11:15–13:15, H45
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11:15 |
O 31.1 |
Defect structure of MBE-prepared GaAs(113)B surfaces — •Takayuki Suzuki, Yevgeniy Temko, and Karl Jacobi
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11:30 |
O 31.2 |
Stufenstruktur der GaAs(2 5 11)-Oberfläche — •Yevgeniy Temko, Takayuki Suzuki und Karl Jacobi
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11:45 |
O 31.3 |
Ab-initio Untersuchungen von H:SiC(001) Oberflächen — •Peter Krüger, Fu-He Wang und Johannes Pollmann
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12:00 |
O 31.4 |
Photolumineszenz von größenseparierten Silizium-Nanoteilchen: Bestätigung des Quanten-Confinements — •Friedrich Huisken, Jiong Gong, Gilles Ledoux, Olivier Guillois und Cecile Reynaud
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12:15 |
O 31.5 |
Adsorbatinduzierte Strukturierung dünner Isolatorfilme — •W. Ernst, J. Zachariae, M. Eichmann, K.-L. Jonas, V. von Oeynhausen, K.H. Meiwes-Broer und H. Pfnür
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12:30 |
O 31.6 |
Band Alignment at Crystalline Pr2O3/Si(001) Heterojunctions — •Hans-Joachim Müssig, Jing Ping Liu, and Hans-Jörg Osten
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12:45 |
O 31.7 |
Manganese films on Si(111)7×7: chemical reactions and interface electronic structure — •Ashwani Kumar, Massimo Tallarida, Martin Hansmann, Ulrich Starke, and Karsten Horn
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13:00 |
O 31.8 |
Bi induzierte Mikrofacetten auf einer Ge(113)-Oberfläche — •A. Hirnet, M. Albrecht, M. Gierer und W. Moritz
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