DPG Phi
Verhandlungen
Verhandlungen
DPG

Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

O: Oberflächenphysik

O 31: Halbleiteroberfl
ächen (II)

Donnerstag, 14. März 2002, 11:15–13:15, H45

11:15 O 31.1 Defect structure of MBE-prepared GaAs(113)B surfaces — •Takayuki Suzuki, Yevgeniy Temko, and Karl Jacobi
11:30 O 31.2 Stufenstruktur der GaAs(2 5 11)-Oberfläche — •Yevgeniy Temko, Takayuki Suzuki und Karl Jacobi
11:45 O 31.3 Ab-initio Untersuchungen von H:SiC(001) Oberflächen        — •Peter Krüger, Fu-He Wang und Johannes Pollmann
12:00 O 31.4 Photolumineszenz von größenseparierten Silizium-Nanoteilchen: Bestätigung des Quanten-Confinements — •Friedrich Huisken, Jiong Gong, Gilles Ledoux, Olivier Guillois und Cecile Reynaud
12:15 O 31.5 Adsorbatinduzierte Strukturierung dünner Isolatorfilme — •W. Ernst, J. Zachariae, M. Eichmann, K.-L. Jonas, V. von Oeynhausen, K.H. Meiwes-Broer und H. Pfnür
12:30 O 31.6 Band Alignment at Crystalline Pr2O3/Si(001) Heterojunctions — •Hans-Joachim Müssig, Jing Ping Liu, and Hans-Jörg Osten
12:45 O 31.7 Manganese films on Si(111)7×7: chemical reactions and interface electronic structure — •Ashwani Kumar, Massimo Tallarida, Martin Hansmann, Ulrich Starke, and Karsten Horn
13:00 O 31.8 Bi induzierte Mikrofacetten auf einer Ge(113)-Oberfläche — •A. Hirnet, M. Albrecht, M. Gierer und W. Moritz
100% | Mobil-Ansicht | English Version | Kontakt/Impressum/Datenschutz
DPG-Physik > DPG-Verhandlungen > 2002 > Regensburg