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Dresden 2003 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: III-V Halbleiter

Monday, March 24, 2003, 10:30–13:45, BEY/118

10:30 HL 2.1 Doping, Structure and Thermal Stability of nano-InP — •X.M. Li, Z. Guan, Th. Agne, H. Wolf und Th. Wichert
10:45 HL 2.2 Spannungsrelaxation in LT-GaAs durch Agglomeration atomare Fehlstellen — •Torsten E.M. Staab, Risto M. Nieminen, Martina Luysberg, Jörg Gebauer und Thomas Frauenheim
11:00 HL 2.3 Untersuchung der Segregation von In in InGaAs/GaAs Quantentrogstrukturen — •Manuel Melzer, Marco Schowalter, Andreas Rosenauer, Dagmar Gerthsen und Johann-Peter Reithmeier
11:15 HL 2.4 Typ I nach Typ II Übergang in (Ga,In)(N,As)/Ga(N,As) Quantenschichten — •H. Grüning, P.J. Klar, W. Heimbrodt, G. Weiser, J. Koch, S. Nau und W. Stolz
11:30 HL 2.5 In-situ RAS bei der p-Dotierung von MOCVD gewachsenem GaSb(100) — •Zadig Kollonitsch, Kristof Möller, Christoph Giesen, Michael Heuken, Frank Willig und Thomas Hannappel
11:45 HL 2.6 Optische Untersuchungen an Stickstoff-implantiertem GaAs — •Steffen Sinning, Thomas Dekorsy und Manfred Helm
12:00 HL 2.7 Anwendung von konvergenter Elektronenbeugung und Biegekonturkontrastanalyse zur Analyse von Kristallpolarität und Grenzflächen in III-V-Verbindungshalbleitern — •Tanja Trenkner, Christian Jäger, Erdmann Spiecker und Wolfgang Jäger
12:15 HL 2.8 Recombination in the hetero-structure InP/SnO2 controlled by hot carrier dynamics. — •Matthias Neges, Klaus Schwarzburg, and Frank Willig
12:30 HL 2.9 Kathodolumineszenz-Untersuchungen an implantiertem AlN — •Jan Zenneck, Ulrich Vetter, Carsten Ronning und Hans Hofsäss
12:45 HL 2.10 Temperature dependence of the electron Landé g factor in (110) GaAs quantum wells — •Stefanie Döhrmann, Jörg Rudolph, Dieter Schuh, Werner Wegscheider, Daniel Hägele, and Michael Oestreich
13:00 HL 2.11 MOVPE Growth of InN Layers and Spectroscopic Ellipsometry Characterization — •Massimo Drago, Torstein Schmidtling, Udo W. Pohl, and Wolfgang Richter
13:15 HL 2.12 Schnelle, spektrale Ellipsometrie beim Wachstum von III/V Heterostrukturen und Quantenpunkten — •S. Weeke, A. Wirsig, F. Poser und W. Richter
13:30 HL 2.13 Structural properties of (In)GaAsN — •Lutz Görgens, Peter Neumaier, Andreas Bergmaier, Günther Dollinger, and Reiner Krücken
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