O 19: Halbleiteroberfl
ächen (I)
Dienstag, 12. März 2002, 11:15–13:00, H45
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11:15 |
O 19.1 |
Aufbau und Zusammensetzung der rekonstruierten ZnSe(001) Oberfläche — •W. Weigand, A. Müller, L. Kilian, O. Bunk, P. Bach, T. Schallenberg, W. Faschinger, L. Molenkamp, R.L. Johnson, C. Kumpf und E. Umbach
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11:30 |
O 19.2 |
Untersuchungen zur Terminierung von ZnSe(001)- und CdTe(001)-Oberflächen mittels Streuung langsamer Ionen — •M. Erhard, L. Weinhardt, Th. Gleim, W. Weigand, T. Schallenberg, W. Faschinger, C. Kumpf, C. Heske und E. Umbach
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11:45 |
O 19.3 |
Oberflächenstrukturanalyse an BeTe(100)-(2x1) mittels SXRD — •A. Müller, W. Weigand, L. Hansen, L. Molenkamp, R.L. Johnson, O. Bunk, C. Kumpf und E. Umbach
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12:00 |
O 19.4 |
Röntgenemissionsspektroskopie an verborgenen Grenzflächen in Cu(In,Ga)(S,Se)2 Dünnschichtsolarzellen — •C. Heske, U. Groh, L. Weinhardt, M. Morkel, O. Fuchs, E. Umbach, Ch.-H. Fischer, M.Ch. Lux-Steiner, Th.P. Niesen, S. Zweigart und F. Karg
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12:15 |
O 19.5 |
Strukturelle Untersuchungen von ultradünnen Si3N4-Filmen — •Torben Clausen, Thomas Schmidt, Subhashis Gangopadhyay, Jens Falta, Jan-Ingo Flege, Stefan Heun, Siegrid Bernstorff, Pavo Dubcek, Luca Gregoratti, Alexei Barinov, Burkhard Kaulich und Maya Kiskinova
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12:30 |
O 19.6 |
Optische Charakterisierung atomar rauher Halbleiteroberflächen im Bereich ihrer minimalen Reflektivität — •M. Lublow und H.-J. Lewerenz
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12:45 |
O 19.7 |
Charakterisierung von HL-Grenzflächen mit diffuser Röntgenstreuung: Vergleich von MBE, MOVPE und Sputter-Techniken — •Ingo Busch und Jürgen Stümpel
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