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Münster 1997 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 30: GaN II

Thursday, March 20, 1997, 15:30–19:30, H1

15:30 HL 30.1 Bildung und Stabilität von Akzeptor-Wasserstoff-Paaren in GaN — •A. Burchard, M. Deicher, D. Forkel-Wirth, E.E. Haller, R. Magerle, A. Prospero und A. Stötzler
15:45 HL 30.2 RTM-angeregte und spektral aufgelöste Lumineszenz von epitaktischen GaN-Schichten — •M. Ortsiefer, P. Radojkovic, M. Topf, M. Schwartzkopff und E. Hartmann
16:00 HL 30.3 Elektrische Eigenschaften von dotierten und undotierten GaN und AlxGa1xN — •Roman Dimitrov, Helmut Angerer, Oliver Ambacher und Martin Stutzmann
16:15 HL 30.4 Lasergestützte Epitaxie von AlN auf Si, Saphir und SiC — •Gudrun Henn und Helmut Schröder
16:30 HL 30.5 Bandkantennahe Photolumineszenz von kubischen GaN/GaAs
Epitaxieschichten
— •D.J. As, F. Schmilgus, C. Wang, B. Schöttker, D. Schikora und K. Lischka
16:45 HL 30.6 Druckuntersuchungen lokalisierter Defekte in GaN — •C. Wetzel, J.W. Ager III, E.E. Haller, W.G. Perry und R.F. Davis
17:00 HL 30.7 Kathodolumineszenzmikroskopie von hexagonalen GaN-Schichten — •F. Bertram, T. Hempel, P. Veit, J. Christen, S. Fischer, B. Mayer, S. Einfeldt und D. Hommel
17:15 HL 30.8 Effektive Massen und Valenzband-Aufspaltungen in GaN und AlN — •J.A. Majewski, M. Städele und P. Vogl
17:30 HL 30.9 Strukturierte und freitragende GaN Schichten hergestellt mittels Laser-induzierter Dekomposition — •M. K. Kelly, O. Ambacher, R. Dimitrov, H. Angerer, R. Handschuh und M. Stutzmann
17:45 HL 30.10 Diffusion von Ga und N Adatomen auf GaN (001) Oberflächen — •Tosja Zywietz, Jörg Neugebauer und Matthias Scheffler
18:00 HL 30.11 MBE Wachstum von GaN auf SiC und Saphir — •D. Freundt, D. Holz, M. Romani, A. Rizzi, G. Crecelius, D. Guggi, H. Lüth, B. Neubauer und D. Gerthsen
18:15 HL 30.12 Elektronische und vibronische Eigenschaften von GaN auf 6H-SiC — •A. Rizzi, D. Freundt, D. Holz, M. Romani und H. Lüth
18:30 HL 30.13 Leuchtdioden auf GaN-Basis, hergestellt mit MBE und MOVPE — •M. Mayer, C. Kirchner, A. Pelzmann, M. Schauler, F. Eberhard, M. Kamp, P. Unger und K.J. Ebeling
18:45 HL 30.14 Polaritoneneigenschaften von GaN-Epischichten — •A. Göldner, L. Eckey, A. Hoffmann, I. Broser und K. Hiramatsu
19:00 HL 30.15 Strahlende Lebensdauer von Exzitonen in GaInN/GaN-Quantenfilmen — •J. S. Im, F. Steuber, V. Härle, F. Scholz und A. Hangleiter
19:15 HL 30.16 Herstellung und Untersuchung von optisch gepumpten GaInN-DFB-Lasern — •V. Wagner, R. Hofmann, H.–P. Gauggel, H. Bolay, F. Scholz und H. Schweizer
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